深硅刻蝕機
- 制造廠商：北方華創(chuàng)
- 購置日期：暫無信息
- 型號：DSE200
- 生產(chǎn)國別：中國
- 儀器類別：工藝實驗設(shè)備
- 安放地址：江蘇省
跨區(qū)域科技政策：
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上海
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合肥毫州六安宿州阜陽黃山淮北淮南蚌埠宣城池州滁州安慶銅陵蕪湖馬鞍山
- 儀器詳情
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DSE?200設(shè)備是針對硅功率器件開發(fā)的專用刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。不同于MEMS工藝的深硅刻蝕，DSE?200設(shè)備針對的是單步平滑刻蝕工藝，保證功率器件的電壓性能。DSE?200設(shè)備針對研發(fā)/中試線/量產(chǎn)領(lǐng)域可以靈活配置平臺方式。
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中心/邊沿獨立MFC設(shè)計，保證8寸及以下工藝均勻性。 采用大抽速分子泵，工藝窗口更寬。 獨特設(shè)計的氣體比例控制，可以實現(xiàn)刻蝕角度80°-90°可調(diào)。 配置低頻偏壓，可實現(xiàn)高達25：1的單步平滑硅刻蝕工藝。 腔室可加熱至120℃，配備優(yōu)化的Dryclean制程，保證腔室環(huán)境穩(wěn)定。 提供多種新工藝開發(fā)及解決方案。 軟件具有安全方便的權(quán)限管理，人性化的操作界面和完善的日志記錄功能，支持工廠自動化（FA）。
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電子與通信技術(shù)
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DSE?200設(shè)備是針對硅功率器件開發(fā)的專用刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。
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暫無
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面議
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江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
機構(gòu)介紹: 為落實溫家寶總理關(guān)于建設(shè)“感知中國中心”重要指示，2009年11月12日，中國科學(xué)院、江蘇省人民政府、無錫市人民政府簽署共建中國物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）三方協(xié)議。2009年12月30日，江蘇省批復(fù)成立江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心(以下簡稱：物聯(lián)網(wǎng)中心)作為中國物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）的建設(shè)載體。2010年10月8日，中國科學(xué)院批復(fù)成立中國科學(xué)院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心，作為中國科學(xué)院在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的總體單位，負責(zé)中國物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）的建設(shè)。
資質(zhì)能力：
